今日讲讲矿用变压器的设计方法!矿用变压器的设计方法有多种多样，我觉得合适自身的就是较好的，挑选一个自已*了解的，可以掌握的就是较好的!
我先详细介绍下一种矿用变压器设计方法：
1.先明确键入工作电压。
一般是依照*少键入直流电压测算VINmin计算
a.如果直流电键入按直流电的*少键入来测算;
b.如果键入为交流电流，一般针对单相电沟通交流整流器用电容滤波，直流电压不容易超出沟通交流键入电压有效值的1.4倍，也不低于1.2倍。
例如，全范畴沟通交流键入85-265VAC的开关电源，一般按85VAC时测算，那VINmin=85*1.2=102V，一般会取整数按100VDC计算。
2.明确关断時间ton。
关断時间ton=T*D，T为周期T=1/f，D为较大pwm占空比，一般在*少键入电流的情况下，D会较大，确保輸出平稳。留意大的pwm占空比可以减少初中级的电流有效值，和MOS的关断耗损，可是依据伏秒规律，初中级pwm占空比变大，次级线圈的一定会小，那麼次级线圈的顶值电流量会增大，电流有效值变大，会致使輸出谐波失真增大!因此，一般单端反激拓扑结构的pwm占空比选择不必超出0.5。并且一般的电流量操纵方式，pwm占空比超过0.5得加直线斜率赔偿的，对调节是个难度系数。也有一关键的都是你的pwm占空比决策你的匝比，匝比决定啥，哈哈哈，反射面工作电压VF，忘记了再去上面看下，再添加你漏感造成的顶峰，*后危害你MOS的抗压。pwm占空比越小匝比越小，反射面工作电压VF越低，MOS的电压内应力小。相反MOS的工作电压内应力大，因此pwm占空比要考虑到好啦。要确保再*大工作电压下你的VDS电压在MOS的要求工作电压下列，*好调额应用，排出充足的容量来!例如，开关电源的开关次数为100K，*少键入时的较大pwm占空比为0.4，那T=1/100000=10μS，那麼ton=0.4*10μS=4μS。
3.明确磁心的合理总面积AE。
AE一般会在磁心的資料中得出。
4.测算初中级线圈匝数NP。
NP=VINmin*ton/ΔB*AE，式中VINmin为直流电*少键入工作电压;ton为关断時间，AE为磁心的合理总面积，ΔB为磁场强度变化量，这一值和磁心材料，及升温等相关，一般考工作经验来选择，在0.1-0.3中间，获得越大，容量越小，矿用变压器在极端化状况下越非常容易饱和状态!本人一般取0.2。
5.测算次级线圈线圈匝数NS。
NS=(Vo+Vd)*(1-D)*NP/VINmin*D
式中Vo为输出电压
Vd为二极管管损耗
D为pwm占空比
NP为初中级线圈匝数
VINmin为*少键入工作电压
6.明确次级线圈整流二极管的内应力VDR。
上面算出矿用变压器的初中级线圈匝数NP和次级线圈线圈匝数NS后，就可以得到次级线圈整流二极管的工作电压内应力
VDR=(VINmax*NS/NP)+VOUT
式中VINmax为较大键入工作电压，要确保在*大键入工作电压下你的二极管的电压内应力不超标准。一般算出來的这一VDR还需要考虑到调额应用，因此二极管的抗压要高过这一VDR值。
一般也要在稳压管上并一个RC消化吸收，进而减少二极管反方向回应時间导致的工作电压顶峰!尤其是CCM方式的情况下!
7.明确初中级电感器量LP。
